高密度封裝技術(shù)在電子制造行業(yè)得到廣泛的應(yīng)用，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)品小型化和多功能化，但是，制造廠商也面臨著產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性問(wèn)題。在眾多的質(zhì)量和可靠性問(wèn)題中，BGA焊點(diǎn)失效現(xiàn)象相對(duì)較集中和普遍，BGA焊點(diǎn)缺陷主要表現(xiàn)為焊點(diǎn)開(kāi)裂、漏焊、連焊和潤(rùn)濕不良等。比較典型的是“枕頭效應(yīng)”，主要表現(xiàn)為BGA焊球和錫膏沒(méi)有完全熔...

IGBT模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊，實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。

二極管最早誕生的半導(dǎo)體器件之一，是用硅、硒、鍺等半導(dǎo)體材料制作而成的電子器件，具有單向?qū)щ娦阅埽涔ぷ髟砭褪抢肞N結(jié)的單向?qū)щ娦?，給二極管陽(yáng)極加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通；給陽(yáng)極和陰極加上反向電壓時(shí)，...

微波功率晶體管主要有三大類，分別是雙極型功率管、VMOS 功率管和GaAs場(chǎng)效應(yīng)功率管，是各種整機(jī)系統(tǒng)的關(guān)鍵器件之一。雙極型微波功率晶體管一般是在大電流密度和較高工作電壓的條件下工作，所以就需要用x ray設(shè)備定期...

氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaN FET是一種用于輸入電壓控制輸出電流的固體半導(dǎo)體器件，是以氮化鎵、鋁氮化鎵為基礎(chǔ)材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。因具有好的散熱性能、高的擊穿電場(chǎng)以及高的飽和速度，相比與同等的硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，氮...

陶瓷基板產(chǎn)品的出現(xiàn)，推動(dòng)了散熱應(yīng)用行業(yè)的發(fā)展。陶瓷基板的優(yōu)點(diǎn)是高散熱、低熱阻、壽命長(zhǎng)、耐電壓，能夠?yàn)槭覂?nèi)照明和戶外亮化產(chǎn)品提供服務(wù)，所以常應(yīng)用于家電產(chǎn)品的指示燈、汽車車燈、路燈及戶外大型看板等。因此也...

陶瓷基板應(yīng)具備機(jī)械應(yīng)力強(qiáng)，形狀穩(wěn)定等特點(diǎn)，所以常用于大功率電力半導(dǎo)體模塊?，F(xiàn)在用的比較多的陶瓷散熱基板主要有HTCC、LTCC、DBC、DPC、LAM五種，其中，因HTCC和LTCC都是燒結(jié)工藝，所以相對(duì)于其他三種成本都會(huì)比...

Micro LED微米發(fā)光二極管是利用自發(fā)光的微米量級(jí)的LED為發(fā)光像素單元，然后將其組裝到驅(qū)動(dòng)面板上，由此形成高密度LED陣列。Micro LED在各大領(lǐng)域都有廣泛的使用，如平板顯示、AR/VR/MR、空間顯示、柔性透明顯示、可穿...

線纜是光纜、電纜的統(tǒng)稱，它是我們?cè)谏钪胁豢色@取的一種物品，所以有著廣泛的應(yīng)用，常用于控制安裝、連接設(shè)備、輸送電力等。電線電纜是通過(guò)拉制、絞制、包覆三種工藝來(lái)制作完成的，型號(hào)規(guī)格越復(fù)雜，重復(fù)性越高；塑...